d带中心理论由Nørskov等人在20世纪90年代基于密度泛函理论（DFT）提出，是现代表面催化学科的奠基性框架。它将过渡金属催化剂的电子结构（d轨道电子分布）与宏观吸附行为、催化活性直接定量关联，为从试错法向理性设计转变提供了核心工具。该理论的核心洞见在于：催化剂表面吸附能并非孤立现象，而是由d带中心（εd）这一电子描述符精准调控的εd位置决定了金属d轨道与吸附质轨道间的杂化强度，从而决定反应中间体的结合强度。吸附过强会导致表面中毒或脱附困难，吸附过弱则无法有效活化反应物；d带中心正是实现适中吸附的电子开关，帮助我们理解Sabatier原理的微观本质，并在HER、ORR、CO₂还原等清洁能源反应中指导高效催化剂设计。

晶体轨道哈密顿布居（Crystal Orbital Hamilton Population，简称COHP）是一种广泛应用于固体化学和材料科学中的量子化学分析方法。它能够从密度泛函理论（DFT）等电子结构计算结果中，直接提取原子间成键、反成键和非成键相互作用的信息，并以能量分辨的方式可视化呈现。COHP的核心思想是将晶体轨道的哈密顿矩阵元素（H_μν）加权到态密度上，从而将带结构能量按化学键类型进行分区。1993年，Richard Dronskowski等人首次提出这一方法，随后通过LOBSTER等软件实现与平面波基组（如VASP）的兼容（pCOHP），使其成为分析间金属化合物、相变材料和磁性材料等复杂体系的强大工具。

在第一性原理计算软件VASP中，能带结构（Band Structure）是研究材料电子性质的核心内容之一。通过计算材料的能带图，我们可以直观了解电子在晶体中的能量分布，从而判断材料的导电类型：金属、半导体、绝缘体或半金属等。