边界条件在数学、物理和工程中都至关重要。在COMSOL仿真中，边界条件限制系统的边界，定义了几何模型在真实系统中的行为，决定了系统与外界的相互作用。 常见的三种边界条件是Dirichlet、Neumann和Robin边界条件，它们分别控制变量的值、通量以及两者的组合。

垂直激发能（Vertical Excitation Energy，简称VEE）是指分子在基态（Ground State，通常记为S0）的几何结构下，从基态跃迁到激发态（Excited State，如S1、S2等）的能量差。根据Franck-Condon原理，电子跃迁发生在极短时间内（~10^-15秒），分子核坐标几乎不变，因此计算时不需优化激发态几何，而是直接在基态几何上计算能量差。这在光谱学、荧光、光伏材料等领域非常关键，能模拟UV-Vis吸收光谱，帮助理解分子光物理行为。

电子态密度（Density of States, DOS）是分析电子结构的核心工具，它提供了在每一能量水平上电子可占据态的数量。通过它，我们可以回答诸如“材料是导体还是绝缘体？”、“哪些原子或轨道主导电子行为？”、“界面或缺陷如何影响电子迁移？”等关键问题。