C (sp³)-C (sp³)键的选择性构建在有机合成中具有重要意义，氢原子转移（HAT）反应是实现该构建的有效途径。其中，杂原子中心自由基（O・、N・）的 1,5-HAT 反应已被广泛研究和应用，但净 1,2-HAT 反应却较为罕见，且多数依赖过渡金属催化或光催化。在这种背景下能否开发无需过渡金属催化剂、光催化剂或有机金属试剂的酰胺基自由基净 1,2-HAT 反应就成为了一种全新的挑战。

含硫杂环在药物化学中广泛存在，但手性桥环含硫分子的直接合成仍极具挑战性，尤其是构建新型的硫桥联双环骨架（如thia-bicyclo[4.1.1]octane）。同时，bicyclobutane（BCB）具有高反应活性，能够通过应变释放实现多样的环加成反应，是构建三维饱和结构的重要平台。然而，关于BCB与含硫组分（如C=S双键）发生高选择性环加成的研究仍极为有限，更未见报道其对映选择性(4 + 3)环加成反应。

VASP 默认三维周期性边界条件 PBC（这是根本原因） VASP 对晶胞三个方向全部自动周期性复制，你建的薄层 / 表面会在 z 轴无限堆叠，上下两个表面直接互相接触、会发生虚假层间相互作用，导致 范德华力、静电偶极、电子波函数会跨层重叠； 优化后两层表面吸附分子互相吸引，键长、吸附能、带隙全部失真； 而真空层就是在 z 方向隔开重复的表面，切断上下周期镜像的相互作用。 区分 “块体” 与 “表面” 体系