DFT计算中施加电场
密度泛函理论是计算材料科学和量子化学中最核心的工具之一。它通过电子密度描述体系性质,极大降低了计算复杂度。在实际应用中,许多体系处于外部电场或内建电场环境中(如电催化、铁电材料、光催化、分子反应调控等)。在DFT计算中显式引入外加电场,能模拟这些真实条件,揭示场对电子结构、几何构型、反应路径和物性的调控作用。 DFT中施加电场的物理基础与实现方式 物理意义:外加电场会极化电子云,改变体系的电势分布进而影响能带结构、偶极矩、反应势垒和电荷转移。电场可调谐体系的反应活性、选择性或光电性能,而无需改变化学组成。在Kohn-Sham框架下,外加电场通过修改有效势(V_eff)引入,通常表现为线性或锯齿形电势(sawtooth potential),以适应周期性边界条件(PBC)。对于 slab 模型(常见于表面计算),电场通常垂直于表面施加,真空层中放置势的不连续点以模拟均匀场。


















